Гадания 

Интересные и нужные сведения о строительных материалах и технологиях. Энергетические характеристики. Некоторые специальные разновидности

В наступившем 2017 году согласно правительственному решению и новому федеральному закону под номером 385, принятому в декабре 2015 года, не запланировано очередного повышения выплат для пенсионеров, продолжающих трудовую деятельность. Данный закон будет действовать вплоть до 2018-2019 гг.

Такая, достаточно неприятная для пенсионеров, ситуация обусловлена попыткой правительства снизить нагрузку на государственную казну в условиях достаточно сложной экономической ситуации .

Речь идёт об страховых пенсионных накоплений в зависимости от ежегодных показателей инфляции. Но следует учитывать, что при выходе на заслуженный отдых, пенсионер получит начисления с учётом индексирования (надбавок), рассчитанные со дня прекращения трудовой деятельности. При этом никаких дополнительных компенсаций за весь период, в который он продолжал трудовую деятельность, законодательством не предусмотрено.

В 2017 году всем пенсионерам (и работающим, и неработающим, и получающим социальную пенсию) положена единоразовая выплата в 5000 рублей.

В 2019 году единоразовая выплата не предусмотрена.

Система надбавок

Следует также отметить, что социальных пенсионных выплат введённые изменения не касаются. Для социально незащищённых категорий граждан, получающих такие выплаты, индексирование будет проводиться в полном объёме.

Подобная система расчёта пенсионных выплат сохранится и в ближайшие годы до тех пор, пока правительством не будут внесены какие-либо изменения в федеральное законодательство, касающиеся продолжающих трудиться пенсионеров.

Но, несмотря на сложившуюся ситуацию, пенсионные выплаты всё-таки немного увеличатся. Во время традиционного августовского , проводящегося для правильного учёта произошедших за год изменений в пенсионных накоплениях граждан, выплат будет увеличена на количество , набранных за минувший год. Их максимально допустимое количество равно трём.

Сохраняется также коэффициент повышения, применяющийся в расчётах сотрудниками пенсионного фонда для граждан, не спешащих оформлять пенсионные выплаты, но фактически получивших права на их начисление.

В этом случае неважно, действительно ли работает гражданин или он просто решил повременить с оформлением выплат. За каждый год ожидания выплат (за год отсрочки) будет увеличиваться как фиксированная, так и страховая часть пенсионных средств. К примеру, период ожидания длительностью в десять лет увеличит страховую часть 2,32 раза, а фиксированную в 2,11 раза.

Как оформляется доплата?

Если работник решил прекратить трудовую деятельность и , он обязан подать документы в местное отделение Пенсионного фонда либо через многофункциональный центр (в электронном виде).

Для этого потребуется:

  • Заполнить уже подготовленный бланк заявления (его образец есть как на официальном сайте, принадлежащем Пенсионному фонду, так и в каждом отделении этой организации).
  • Предъявить паспорт для удостоверения личности.
  • Представить документы, подтверждающие факт расторжения трудового договора (в том числе, ).

Возможно, потребуются какие-либо дополнительные документы. Поэтому их полный список необходимо уточнить в индивидуальном порядке.

Со второго квартала 2016 года все сведения такого рода будут собираются Пенсионным фондом в автоматическом режиме - сотрудники фонда выполнят расчёты на основании сведений, предоставленных работодателями.

Документы подаются только в случае, если работник вышел на пенсию в период с начала октября 2015 по конец марта 2016 года. Данные правила актуальны и в 2019 году.

Особенности августовского перерасчёта

Если человек, достигший пенсионного возраста, продолжает трудовую деятельность, перерасчёт пенсионных выплат для него будет произведён в автоматическом режиме. Писать заявление в этом случае не требуется.

С начала августа сотрудники Пенсионного фонда выполнят перерасчёт с учётом накопленных за прошлый год баллов. Максимум, на который могут вырасти пенсии работающих пенсионеров, составляет три балла.

Максимальное количество баллов, которые можно заработать в 2019 году, равно 8,26.

Следовательно, большая часть работников, уже достигших по факту пенсионного возраста, получит перерасчёт для всей суммы своей заработной платы.

Основными энергетическими параметрами установок на основе ВИЭ, имеющими наиболее существенное значение для потребителя, являются: установленная мощность станции (установки) 7VycT и объем произведенной энергии за год Эг. При обосновании и проектировании энергетических установок, использующих ВИЭ кроме отмеченных, необходимы показатели, определяющие режимы работы энергоустановки, характеристики прихода энергии, характеристики рельефа и подстилающей поверхности местности, параметры воздействия на окружающую среду.

Определение основных энергетических параметров гидроэлектростанций.

Для работы гидроэлектростанции необходим расход воды Q и перепад уровней, т.е. напор Н. Полностью использовать мощность водотока на ГЭС невозможно, она будет меньше за счет гидравлических потерь энергии в подводящих и отводящих сооружениях, потерь в самих турбинах, а также потерь энергии при трансформации механической энергии вращения вала в электрическую энергии в генераторе.

В главе 2 были рассмотрены три основные схемы использования водной энергии: плотинная, деривационная и плотинно деривационная. Создаваемый в этих схемах напор, равный разности отметок уровней верхнего VBE и нижнего УНБ бьефов называется геометрическим или статическим напором Нст.



Энергия, получаемая рабочим колесом от водного потока, будет равна разности удельных энергий на входе в рабочее колеса С-С и на выходе из него К-К. Эта величина представляет собой рабочий напор турбины Н, Он меньше напора брутто на величину гидравлических потерь в водопроводящем тракте с, вызванных действием в потоке сил сопротивления. Данная величина выражает усредненную потерю удельной механической энергии между сечениями В-В и С-С и состоит из гидравлических потерь на трение (по длине водопроводящего тракта) и местных потерь. Следовательно, рабочий напор будет равен Н =H6-hc. р



Скорость воды перед водоприемником и в выходном сечении нижнего бьефа невелики и разностью кинетических энергий в этих сечениях для практических расчетов можно пренебречь. Тогда, для практических расчетов рабочий или полезный напор турбины выражают формулой:






Расход ГЭС, или зарегулированный расход, определяется видом регулирования стока реки с помощью водохранилища. Длительное регулирование (годичное, многолетнее) производится с целью выравнивания неравномерности речного стока в разрезе года или ряда лет. Краткосрочное (недельное или суточное) регулирование осуществляется для перерегулирования равномерного недельного или суточного расхода воды в реке в соответствии с неравномерностью потребления энергии в течение недели или суток различными потребителями.

Определение основных энергетических параметров ветроэнергетических установок.

Для ветроэнергетических установок важнейшими параметрами являются: мощность ВЭУ, диаметр ротора ветроколеса, коэффициент использования мощности, тип и параметры генератора и рабочая характеристика ВЭУ.

Важным показателем является коэффициент использования мощности кис„. Строго говоря, коэффициент использования (кисп) должен учитывать также простой ВЭУ по техническим причинам - профилактика, ремонты, которые несколько снижают величину кис„. Однако, если техническое обслуживание ВЭУ проводится в периоды штилей и энергетических затиший, когда скорость ветра и

Для выполнения расчета обеспеченности мощности ветроагрегатов необходимы рабочая характеристика ВЭУ и распределение скорости ветра на высоте оси ротора.



Для подсчета мощности и выработки энергии ветроагрегатом используются данные наблюдений за скоростями ветра, имеющиеся в местных центрах гидрометеорологических наблюдений. Эти данные могут быть пересчитаны и представлены в виде кривой обеспеченности. Пример представлен на рис. 3.9.

Используя формулу, приведенную выше, подсчитывают мощности ветрового потока и строят график обеспеченности его мощности. Площадь графика представляет собой годовую энергию ветра.

При определении основных энергетических параметров определенного ВЭУ кроме ветровых данных о ветропотенциале необходима рабочая характеристика этого ветроагрегата. Общий вид характеристик представлен на рис. 3.10. Из них видно, что различные типы ВЭУ имеют разные мощности, а кроме того, ветроагрегаты отличаются начальной, номинальной и максимальной скоростями ветра.


По кривой обеспеченности ветра для данной местности и рабочей характеристике конкретного ВЭУ, рассчитывают график обеспеченности мощности этого ветроагрегата (рис. 3.11).



На выработку электроэнергии ветроагрегатами, а следовательно, и на их экономическую эффективность, существенное влияние оказывают:

Ветровые характеристики местности;

Применяемый тип ВЭУ и его конструктивное исполнение;

Рабочая характеристика ветроагрегата;

Используемое электрическое оборудование ВЭУ.

Определение параметров солнечных энергоустановок Фотоэлектрические преобразователи солнечной энергии представляют из себя фотоэлементы, действие которых основано на фотоэффекте в полупроводниковых структурах с р-n переходами, где происходит непосредственное преобразование солнечного света в электрический ток.

Эквивалентная схема солнечной батареи, как источника электропитания может быть представлена в виде, показанном на рис. 3.12.



В работах Н.С. Лидоренко, Ж.И Алферова, В.М Андреева, В.А. Грилихеса, М.М Колтуна, В.Д Румянцева, М.Б Кагана и др., посвященных теории и экспериментальному исследованию свойств солнечных элементов (СЭ) показано, что вольтамперная характеристика (ВАХ) СЭ отличается от ВАХ полупроводникового диода появлением члена 1ф, обозначающего собой ток, генерируемый элементом под действием освещения, часть которого 1дь течет через диод, а другая - через нагрузку:




Коэффициент полезного действия солнечного элемента в основном зависит от температуры, которая может достигать больших значений при использовании фокусирующих систем или при работе в космическом пространстве. В наземных условиях и при применен™ бесконцентраторных фотоэлектрических панелей температура элемента изменяется в небольшом диапазоне, что не существенно влияет на его КПД. Однако, например в условиях жаркого климата (в Африке, Индии и др. приэкваториальных странах) температура может сильно отличаться от эталонных. В этом случае КПД солнечного элемента может быть определен по формуле:



Значения достигнутых в настоящее время к.п.д, солнечных элементов различных типов приведены на рис. 2.19.



Работа солнечных батарей в наземных условиях происходит при переменной плотности радиации, поступление которой определяется суточным ходом, метеоусловиями прозрачностью атмосферы. Отметим, что изменение мощности батареи происходит в основном за счет изменения тока солнечной батареи. Анализируя зависимости основных параметров СБ от уровня радиации рис. 3.14, можно установить, что с ростом интенсивности солнечных лучей, падающих на её поверхность, линейно растут ток /„ и мощность P0„nJt при этом напряжение Uonm изменяется в узком пределе изменения интенсивности. Однако этот закон сохраняется лишь при сравнительно высоких значениях Е, в противном случае, при низких Е (Е

Определение параметров теплового коллектора солнечной энергии. Выполнение теплового расчета коллектора и солнечной системы теплоснабжения в целом представляет определенные трудности из-за необходимости учета влияния случайных колебаний климатических параметров и сложного характера взаимодействия между элементами системы. Поэтому обычно используются инженерные методы, которые дают возможность получить приемлемые характеристики проектируемой системы.

Упрощенный метод расчета солнечной установки отопления и горячего водоснабжения здания заключается в определении, прежде всего, площади поверхности коллектора солнечной энергии SCK

Тепловая мощность (Вт) плоского коллектора солнечной энергии (КСЭ) определяется как:



План

Лекция 13

1. Свойства пленок алюминия

2. Методы получения металлических пленок

3. Создание омических контактов к ИС

К системам металлизации ИС предъявляются следующие требования:

Высокая проводимость (r < 10 –6 Ом×см);

Хорошая адгезия как к Si, так и к SiO 2 ;

Способность к образованию качественного омического контакта с кремнием n- и p-типов;

Отсутствие вредных интерметаллических соединений или протекания реакций, разрушающих кремний в процессе обработки и эксплуатации системы;

Технологичность методов осаждения и нанесения рисунков;

Устойчивость к электродиффузии в металле;

Металлургическая совместимость со сплавами, которые применяются для присоединения внешних проводов к металлизированной схеме.

Наиболее удобным, простым в изготовлении и дешевым материалом для металлизации ИМС является алюминий, который обычно наносят методом испарения в вакууме.

Свойства пленок алюминия

Конкретные свойства пленок алюминия зависят от целого ряда условий, таких как чистота испаряемого материала, давление в вакуумной системе, скорость напыления, температура подложки и др. Пленки, нанесенные на аморфную поверхность SiO 2 термически окисленных пластин кремния, являются поликристаллическими с некоторой тенденцией к определенной ориентации кристаллитов. После напыления пленки имеют зеркально-гладкую поверхность.

Удельное сопротивление напыленной пленки алюминия толщиной 1 мкм составляет около 3×10 –6 Ом×см, т.е. всего на 10 - 20 % больше, чем объемное удельное сопротивление чистого алюминия. Широкое использование пленок алюминия для металлизации в интегральных схемах обусловлено: высокой электропроводностью, близкой к электропроводности объемного алюминия; легкостью испарения в вакууме и чистотой испаряемой пленки.

Алюминий имеет относительно низкую температуру испарения, и поэтому вероятность загрязнения напыленной пленки примесями из вакуумной камеры и испарителя должна быть небольшой по сравнению с металлами, имеющими более высокую температуру испарения.

Хорошая адгезия к кремнию и окислам дает возможность изготовления однослойной металлизации, что значительно упрощает технологию производства и уменьшает стоимость ИМС. Алюминиевые пленки не отслаиваются из-за плохой адгезии, как золото или молибден. Алюминий образует низкоомный контакт с кремнием n- и p-типа. Контактные площадки на пластине кремния всегда покрыты слоем естественного окисла SiO 2 . Алюминий реагирует с SiO 2 , поскольку может образовывать окислы с большой отрицательной свободной энергией.
В результате между кремнием и алюминием создается низкоомный контакт. Скорости этой реакции и диффузии кремния в алюминий очень высоки, так что для получения низкоомного контакта достаточно прогреть образец при температуре 550 °С в течение всего лишь нескольких минут.


Алюминий пластичен и стоек к циклическим изменениям температуры. Низкая температура подложки при его напылении (120 - 160 °С) и отжиге (~200 °С) позволяет получить пленки с низкими механическими напряжениями вследствие малой разницы ТКР при уменьшении температуры до комнатной. Алюминий устойчив к окисляющему воздействию атмосферы, легко обрабатывается методами фотолитографии для получения необходимой конфигурации контактов и межсоединений в ИМС, причем в таких травителях, которые не действуют на кремний или SiO 2 .

Алюминий образует прочные контакты при креплении золотой или алюминиевой проволоки к его пленке методами термокомпрессии. Его можно использовать в схемах, устойчивых к воздействию радиации.

Однако наряду с положительными свойствами, алюминий имеет ряд недостатков, которые ограничивают использование его для металлизации. К ним относятся:

Мягкость и, следовательно, легкость повреждения алюминиевой пленки;

Появление пустот в пленке вследствие электродиффузии при меньших, чем для других металлов, плотностях тока;

Возможность короткого замыкания через диэлектрическую пленку в системах с несколькими уровнями металлизации из-за образования выступов при электродиффузии или низкотемпературной рекристаллизации пленок;

Возникновение коррозии вследствие гальванического эффекта при одновременном использовании других металлов;

Взаимодействие с SiO 2 при низких температурах (начиная от комнатной и выше), что может приводить к нестабильности, особенно в МДП интегральных схемах;

Способность образовывать хрупкие соединения с золотом, что может снижать электропроводность и приводить к отказам в случае термокомпрессионного крепления выводов.

Защита алюминиевой пленки от механических повреждений практически осуществляется нанесением поверх металла диэлектрического слоя. Такое покрытие служит одновременно для предохранения близко расположенных токонесущих полосок от коррозии, электролитической или химической, и от закорачивания проводящих полосок какими-либо посторонними частицами.

При травлении окон в диэлектрике (обычно SiO 2) скорость травления диэлектрика должна быть значительно большей, чем скорость травления алюминия, иначе можно повредить алюминиевую пленку вследствие существования в ИС локальных положительных потенциалов. Для систем, содержащих слои золота, эта проблема не возникает. В случае подсоединения золотых проволочек к пленке алюминия методом термокомпрессионной сварки возможно образование интерметаллических соединений, что приводит к уменьшению надежности аппаратуры. Однако при относительно низких температурах и умеренных нагрузках такой метод соединения оказывается вполне надежным. Проблему образования интерметаллических соединений на границе золото - алюминий полностью решает использование ультразвуковой сварки золотых проводников с пленкой алюминия. Для исключения взаимодействия золотой проволоки с алюминием при одновременном сохранении преимуществ контакта алюминия с кремнием часто между золотом и алюминием наносят дополнительную металлическую пленку, например молибденовую или танталовую.

Электродиффузия в пленках алюминия

Электродиффузия - это явление переноса вещества в металлах при высоких плотностях тока. В пленках алюминия, применяющихся для металлизации ИМС, электродиффузия приводит к разрыву алюминиевого проводника вследствие образования пустот (пор) из-за скопления вакансий в алюминии.

В сплошном металлическом проводнике на термически возбужденный ион металла в узле решетки действуют две силы: одна направлена навстречу электронному потоку при приложении к проводнику электрического поля, другая действует по направлению электронного потока и появляется за счет обмена импульсами между электронами проводимости и возбужденными ионами металла при столкновениях ("электронный ветер").

Вследствие экранирующего влияния электронов сила, с которой электрическое поле действует на ион, весьма невелика, поэтому преобладающей является сила "электронного ветра". В результате этого возбужденные ионы металла, приходящие в вакансию в направлении потока электрона, имеют более высокую вероятность заполнения вакансии, чем окружающие ее близлежащие ионы. Следовательно, ионы металла перемещаются к положительно заряженному концу проводника, а вакансии - к отрицательному. Вакансии скапливаются на отрицательном полюсе (коагулируют) в виде пустот, тогда как ионы на положительных концах образуют кристаллы, усы и холмики. Большое количество пустот приводит к разрыву электрической цепи в пленках алюминия. Поверхностные царапины на металлических проводниках ведут себя как вакансии, причем наблюдается их движение по поверхности проводника в направлении отрицательно заряженного конца. Поэтому скорость переноса вещества зависит от структуры пленок алюминия.

В мелкозернистых пленках алюминия, полученных осаждением в вакууме на холодные подложки, преобладают диффузия по границам зерен и поверхностная диффузия. Вследствие этого энергия активации в таких пленках низка и составляет 0,48 эВ (энергия активации при самодиффузии в объемном алюминии равна 1,4 эВ). В хорошо упорядоченных крупнозернистых пленках, осажденных на горячие подложки, энергия активации определяется в основном поверхностной диффузией и составляет 0,84 эВ. Это связано с уменьшением границ зерен и соответственно с высоким коэффициентом самодиффузии. Если крупнозернистую пленку покрыть слоем кварцевого стекла, то поверхностная диффузия уменьшается, а энергия активации увеличивается до 1,2 эВ, т.е. приближается к значению для объемного алюминия. При температуре 275 °С и выше объемная диффузия преобладает над диффузией по границам зерен и поверхностной диффузией, поэтому влияние структуры несущественно. Однако при температуре ниже 275 °С долговечность ИМС можно повысить на несколько порядков путем применения хорошо упорядоченных крупнозернистых пленок, особенно, если они покрыты пленкой стекла.

Методы получения металлических пленок

Общие требования к тонким токопроводящим пленкам - равномерность толщины пленки, однородность ее структуры, надежное сцепление (адгезия) с подложкой и другими материалами, с которыми она контактирует.

Основными методами осаждения тонких пленок являются: вакуумное испарение (напыление) с косвенным подогревом; ионно-плазменное распыление; осаждение из газовой фазы с помощью газотранспортных реакций; восстановление в атмосфере водорода и термохимическое разложение. Выбор того или иного метода зависит от природы осаждаемого материала, материала подложки, структуры (аморфная, поликристаллическая, монокристаллическая) и толщины пленки.

Наиболее распространенным методом является вакуумное испарение. Оно дает возможность получать пленки, удовлетворяющие многим требованиям. Преимущества этого метода: удовлетворительная воспроизводимость свойств пленок за счет высокой чистоты при осаждении; хорошая адгезия к подложке, особенно при нагревании подложек; возможность контроля толщины пленок с точностью до нескольких мономолекулярных слоев в процессе осаждения. Этот метод позволяет наносить пленки различного назначения в одной установке, в едином технологическом цикле. К недостаткам вакуумного метода следует отнести проблему отвода тепла, необходимость охлаждения аппаратуры, сложность очистки подложек перед напылением для хорошего сцепления с ними пленок.

Пленки тугоплавких металлов (Ta, W, Mo и др.) можно осаждать ионно-плазменным (катодным) распылением. В атмосфере активного газа (O 2 , N 2 и др.) распылением соответствующего металла можно изготавливать и диэлектрические пленки (окислы, нитриды металлов), однако в этом случае трудно предотвратить поглощение остаточных газов пленкой в процессе ее формирования из-за относительно высокого давления газа (10 –2 - 10 –1 мм рт.ст).

Осаждение из газовой фазы позволяет получать высококачественные пленки, однако этот метод предполагает наличие сильных агрессивных сред, которые могут вступать во взаимодействие с кремнием или диэлектрическими пленками на его поверхности. Вследствие этого осаждение металлов из газовой фазы применяется редко.

В настоящее время наиболее широкое распространение при нанесении металлических пленок получил метод ионно-плазменного распыления с помощью магнетронных распылительных систем - устройств для генерирования плазмы.

В методе магнетронного распыления используются скрещенные магнитное и электрическое поля, повышающие эффективность ионизации рабочего газа и, следовательно, плотность плазмы.

Магнетрон представляет собой двухэлектродную систему, в которой распыляемый материал является катодом. Наиболее часто используются две основные электродные системы: с кольцевым (коническим) катодом, называемым S-пушкой (рис.5.1,а), и планарная (рис.5.1,б). Во всех случаях линии магнитного поля перпендикулярны линиям электрического поля и проходят через поверхность катода. При этом создается плотная плазма низкого давления, локализованная над нужным участком поверхности катода, с которой и производится распыление. Скорость распыления при использовании конического магнетрона пропорциональна косинусу угла между направлением пучка распыляемого материала и нормалью к подложке. Для увеличения производительности этого метода может использоваться планетарная система расположения подложек относительно источника распыляемого материала. В планарном магнетроне пластины помещаются на плоскости перед магнетроном, причем источник может иметь изменяющиеся размеры, так что возможно значительное увеличение производительности устройства.

Использование магнетронного распыления позволяет проводить нанесение металла с высокой скоростью. При этом напряжение магнетронных источников обычно ниже, чем электронно-лучевых устройств, следовательно, они генерируют меньшее проникающее излучение. Скорость осаждения может регулироваться расстоянием между источником и подложкой и достигать 1 мкм/мин при осаждении алюминия или его сплавов.

Установки магнетронного типа обычно оснащены микропроцессорными системами управления, которые действуют по заданным программам. Системы управления позволяют проводить корректировку программ, перепрограммирование, изменение параметров процесса, а также соединять конкретную установку с большими управляющими комплексами. Регулируются основные параметры технологического процесса: временные характеристики операций откачки камеры, напуска рабочего газа, нагрева подложек, ионной очистки поверхности подложек, процесса распыления; а также мощность магнетрона; скорость движения карусели с подложками. Загрузка и выгрузка пластин могут осуществляться как оператором, так и (в некоторых устройствах) автоматически. Причем заданные и текущие значения параметров в процессе распыления могут контролироваться с помощью экрана дисплея.

Хотя магнетронные системы испарения металлов значительно сложнее в изготовлении и эксплуатации, чем вакуумно-термические, в условиях современного производства они являются наиболее совершенными, обеспечивающими необходимые качества и производительность при нанесении металлических тонких пленок.

Создание омических контактов к ИС

Основное назначение контактов в ИС - это подведение электрического тока к той или иной ее области.

Для планарных ИМС используют как локальные контакты (рис.5.2,а), так и распространенные (рис.5.2,б), выходящие на поверхность диэлектрического покрытия - двуокиси кремния, нитрида кремния и т.д. Распространенные контакты являются большим достоинством планарных ИМС, так как они позволяют отделить место присоединения вывода от активной области прибора и тем самым резко уменьшить как размеры последней, так и вредные воздействия на нее.

Основные качества контактов - обеспечение заданных электрических параметров и механическая прочность - должны сохраняться в течение всего срока службы ИМС при изменении в широком диапазоне условий эксплуатации схем. Для нормальной работы полупроводникового прибора или ИМС контакты к ним должны удовлетворять следующим требованиям:

Быть невыпрямляющими, т.е. сопротивление контакта не должно меняться при изменении направления протекающего тока, и неинжектирующими;

Обладать линейными зависимостями сопротивления от величины протекающего тока;

Иметь минимальное сопротивление, в том числе в направлении, параллельном поверхности, особенно если вывод присоединен к незначительной по площади части контакта;

Обладать высокой теплопроводностью и иметь коэффициент теплового расширения, близкий к аналогичным коэффициентам кремния и материала вывода или корпуса;

Представлять металлургически стабильную систему с кремнием и материалом вывода, в случае многослойных контактов это условие относится к взаимодействию слоев между собой;

Металл контакта должен обеспечивать достаточно хорошую адгезию к кремнию, а в случае распространенных контактов - и к диэлектрическому покрытию;

Не вступать в химическое взаимодействие с диэлектрическим покрытием;

Обеспечивать проведение фотолитографии;

Глубина диффузии металла контакта в кремний должна быть минимальной.

Для создания неинжектирующего контакта с малым сопротивлением необходимо, чтобы электрохимические потенциалы металла j мет и кремния j S i удовлетворяли условиям: j мет < j S i для S i n-типа; и j мет > j S i для Si p-типа. Однако такие контакты, как правило, обладают нелинейными вольт-амперными характеристиками, их сопротивление зависит от величин приложенного напряжения и протекающего тока.

Этого можно избежать путем дополнительного легирования полупроводника под контактом, например, в кремнии n-типа диффузионным способом создается тонкая область n + -типа. Между n – - и
n + -областями возникает контактная разность потенциалов, пропорциональная разности концентраций ионизированных доноров. Изменить эту разность потенциалов прилагаемым извне напряжением очень трудно: при любой полярности напряжения будет изменяться только поток основных носителей. За счет этого обеспечивается линейность характеристики контакта. Линейный неинжектирующий контакт принято характеризовать контактным или переходным сопротивлением r k . Величина этого сопротивления в основном зависит от вида металла, типа и сопротивления полупроводника

Для полупроводника с малой концентрацией примеси можно использовать уравнение:

где A * = 4pem * k 2 /h 3 - постоянная Ричардсона (e - заряд электрона;
k - постоянная Больцмана; m * - эффективная масса носителей заряда;
h - постоянная Планка); j В - высота барьера металл - полупроводник. Поскольку в этом случае преобладает термоэлектронная эмиссия через барьер, малое сопротивление контакта требует малой высоты барьера. При концентрации примеси, меньшей 10 17 см –3 , r k не зависит от уровня легирования. При высокой концентрации примеси ширина барьера уменьшается вследствие сильного изгиба зон полупроводника, и основную роль при протекании тока в контакте играет туннелирование сквозь барьер. В этом случае контактное сопротивление можно представить в виде

,

где e S - диэлектрическая постоянная кремния; N D - концентрация примеси в полупроводнике. С ростом концентрации выше 10 19 см –3 r k быстро уменьшается. В табл.5.1 представлены значения j В для наиболее употребимых материалов контактов.

Таблица 5.1

Высота барьера металл - кремний, В

Энергетические параметры ОУ оценивают максимальными потребляемыми токами от обоих источников питания и соответственно суммарной потребляемой мощностью.

Частотные характеристики

Усиление гармонических сигналов характеризуется частотными параметрами ОУ, а усиление импульсных сигналов - его скоростными или динамическими параметрами.

Многие типы ОУ общего и специального назначения имеют внутреннюю коррекцию, т.е. в схему таких ОУ включен конденсатор малой емкости (обычно 30пФ). Такой конденсатор внутренней частотной коррекции предотвращает генерацию ОУ на высоких частотах. Это происходит за счет уменьшения усиления ОУ с ростом частоты. Интервал частот, на котором частота изменяется в 10 раз, называется декадой. Изменение частоты в два раза называется октавой. Изготовители представляют частотную зависимость усиления ОУ без ОС в виде кривой, называемой амплитудно - частотной характеристикой (АЧХ) без ОС.

Рис. 1.7

Частота f1, при которой коэффициент усиления ОУ равен единице, называется частотой единичного усиления. Если разделить полосу единичного усиления на частоту входного сигнала, то получим в результате коэффициент усиления ОУ на данной частоте сигнала. Усиление без ОС на частоте равно полосе пропускания, деленной на частоту входного сигнала.

При составлении графиков частотных характеристик обычно используется логарифмический масштаб.

Коэффициент усиления по напряжению в децибелах равен: KдБ = 20 lg K, где K - числовое значение коэффициента усиления по напряжению.

Уменьшение коэффициента усиления с частотой называется спадом. Последовательная RC - цепь имеет скорость спада АЧХ 20 дБ/дек или 6дБ/окт.

Так как каждый усилительный каскад ОУ в простейшем случае представляется эквивалентной схемой, состоящей из последовательно соединенных R и C, то он также имеет скорость спада АЧХ 20дБ/дек. Для трехкаскадного ОУ коэффициент усиления усилителя равен произведению коэффициентов усиления его отдельных каскадов. При этом получается достаточно громоздкое выражение, поэтому часто пользуются весьма наглядной и простой для понимания диаграммой Боде - графиком зависимости десятичного логарифма Коэффициента усиления от десятичного логарифма частоты. Это удобно, так как значения коэффициентов усиления каскадов, выраженные в децибелах, можно складывать, вместо того чтобы их перемножать. Таким образом, АЧХ его каскадов можно получить, построив на одном графике АЧХ его каскадов и графически их сложив.

Так как интегральные ОУ без ОС практически не применяются, необходимо определить влияние ОС на АЧХ ОУ. Отрицательная ОС ограничивает коэффициент усиления ОУ и значительно расширяет полосу пропускания. Отметим, что отрицательная обратная связь не расширяет АЧХ ОУ, а граничная частота ОУ увеличивается за счет уменьшения коэффициента усиления усилителя.

Коэффициент усиления по контуру ОС, как видно из (рис. 1.8), есть разность между коэффициентами усиления ОУ без ОС и с ОС, выраженной в децибелах.

Рис. 1.8

В том случае когда скорость спада АЧХ ОУ составляет 20дБ/дек, произведение коэффициента усиления ОУ на частоту единичного усиления есть величина постоянная.

При усилении сигналов ОУ обычно охватывается отрицательной обратной связью по инвертирующему входу. Вследствие создаваемого усилителем в области высоких частот Фазового сдвига выходного сигнала относительно входного фазочастотная характеристика ОУ по инвертирующему входу приобретает дополнительный (сверх 180°) фазовый сдвиг (рис. 1.9).

Рис. 1.9

Для некоторой высокой частоты полный фазовый сдвиг становится равным 360°, что соответствует положительной обратной связи по инвертирующему входу на этой частоте, что приводит к самовозбуждению схемы. Для устранения самовозбуждения в ОУ вводят внешние корректирующие RC - цепи, позволяющие несколько изменить ход амплитудно - частотной и фазово - частотной характеристик.

Критерий устойчивости ОУ иногда выражается через запас устойчивости по фазе, который представляется в виде суммы фаз Ф = 180° + . Положительный запас устойчивости ОУ по фазе является показателем его устойчивости. Отрицательный запас по фазе характерен для неустойчивого ОУ. Для получения максимального быстродействия ОУ желательно иметь запас устойчивости по фазе около 45° .

Устойчивость ОУ можно оценить и по частоте, находящейся в полосе его пропускания. Если половина периода этой частоты равна времени задержки распространения сигнала по контуру ОС, то в ОУ возникают колебания.

Для обеспечения устойчивой работы ОУ необходимо уменьшать запаздывание по фазе, т.е. корректировать АЧХ ОУ.

Скоростные характеристики

Динамическими параметрами ОУ являются скорость нарастания выходного напряжения (скорость отклика) и время установления выходного напряжения. Они определяются по реакции ОУ на воздействие скачка напряжения на входе (рис. 1.10).

Рис. 1.10

Скорость нарастания выходного напряжения U вых находят по отношению приращения выходного напряжения к времени на участке изменения выходного напряжения от 0,1U вых до 0,9U вых. Время установления выходного напряжения t уст оценивают интервалом времени, в течение которого выходное напряжение меняется от уровня 0,1 до уровня 0,9 установившегося значения. В ряде схем ОУ допускается введение корректирующих цепей, улучшающих параметры U вых и t уст. Для ОУ U вых = 0.1:100 в/мкс, а t уст = 0.05:2 мкс.

7. Генератор линейно-изменяющегося напряжения (ГЛИН).

Генератор линейно-изменяющегося напряжения (ГЛИН) предназначен для получения напряжения, которое в течение некоторого времени нарастает или спадает по линейному или близкому к линейному закону и используется в каскадах сравнения, схемах временной задержки импульсов, для получения временных разверток в электронно-лучевых трубках и т.д. Реализация ГЛИНа на ОУ и временные диаграммы входного и выходного напряжений даны на рис.8.16. Принцип работы основан на применении зарядного или разрядного устройства, интегрирующего конденсатора C и электронного ключа на транзисторе VT . При закрытом состоянии ключа происходит заряд конденсатора C от Е зар. через R 3 с постоянной времени t зар =R 3 C , что определяет длительность прямого (рабочего) хода. Замыкание ключа приводит к быстрой разрядке конденсатора и время обратного хода определяется сопротивлением насыщенного транзистора. Выходное напряжение повторяет форму напряжения на конденсаторе C и имеет вид “пилы”.

Линейно изменяющимся(пилообразным) напряжением(ЛИН) называют импульсное напряжение, которое в течение некоторого времени изменяется практически по линейному закону, а затем возвращается к исходному уровню (рис.20.1)

ЛИН характеризуется следующими основными параметрами:периодом Т, длительностью рабочего хода Т р, длительностью обратного хода Т обр, амплитудой U m , коэффициентом нелинейности

где |du/dt| t=0 и |du/dt| t= Tp − соответственно скорость изменения напряжения в начале и в конце рабочего хода.В ГЛИН, используемых на практике, Т р изменяется от десятых долей микросекунды до десятков секунд, U m −от единиц до тысяч вольт, Т обр −от 1 до 50% от Т р. В большинстве реальных схем ε<1%.

Обычно линейное изменение напряжения получают при зарядке и разрядке конденсатора. Функциональная схема ГЛИН должна иметь вид, показанный на рис.20.2.

На рис.20.3,а приведена электрическая схема простейшего ГЛИН. На транзисторе Т собран ключ, управляемый прямоугольными импульсами u вх отрицательной полярности (рис.20.3,б ). В исходном состоянии транзистор насыщен (ключ замкнут) ,что обеспечивается выбором соотношения сопротивлений резисторов R б и R к. При воздействии входного импульса длительностью Т р транзистор закрывается (ключ разомкнут) и конденсатор С заряжается от источника +Е к через резистор R к. Напряжение на конденсаторе изменяется по экспоненте:u c =E к (1−e - t /(RC)). По окончании входного импульса транзистор переходит в режим насыщения (ключ замкнут) и конденсатор быстро разряжается через промежуток коллектор-эмиттер. Используя начальный участок экспоненты, можно получить импульсы с малым коэффициентом нелинейности. Однако при этом отношение U m /E к мало, в чем и состоит основной недостаток данной схемы.

Высококачественные ГЛИН создают на основе операционных усилителей. На рис.20.4, приведена схема такого ГЛИН, выполненного на операционном усилителе.


8. Сглаживающие фильтры (ем­костные и индуктивные)

Сглаживающие фильтры

Сглаживающим фильтром называют устройство, предназначенное для умень­шения пульсаций выпрямленного напряжения.

Коэф­фициенты пульсаций выпрямленных напряжений:

Для однополупериодного однофазного выпрямителя..... 1,57

» двухполупериодного однофазного выпрямителя..... 0,67

» трехфазного выпрямителя с нейтральным выводом. . . 0,25

» трехфазного мостового выпрямителя.......... 0,057

С такими коэффициентами пульсаций выпрямленное напряжение в подавляющем большинстве случаев использовать нельзя, так как при этом работа электронных блоков и устройств резко ухуд­шается или вообще недопустима. В зависимости от назначения того или иного электронного блока (усилителя, генератора и т. д.), его места в электронном устройстве или системе (на входе, выходе и т. д.) коэффициент пульсаций напряжения питания не должен превышать определенных значений. Так, для основных каскадов ав­томатических систем он не должен превышать 10~2-10~3, для вы­ходных усилительных каскадов-10~4-10~5, для автогенерато­ров - 10~5-10~6, а для входных каскадов электронных измери­тельных устройств - 10~6-10~7. напряжения с

Основными элементами сглаживающих фильтров являются кон­денсаторы, индуктивные катушки и транзисторы, сопротивления ко­торых различны для постоянного и переменного токов. Для постоян­ного тока сопротивление конденсатора равно бесконечности, а со противление индуктивной катушки очень мало. Сопротивление тран­зистора постоянному току (статическое сопротивление) на два-три порядка меньше сопротивления переменному току (динамическое сопротивление). Основным параметром, характеризующим эффек­тивность действия сглаживающего фильтра, является коэффициент сглаживания, равный отношению коэффициентов пульсаций на входе и выходе фильтра:

q = pвх/pвых

Кроме выполнения требования к коэффициенту сглаживания фильтры должны иметь минимальное падение постоянного напря­жения на элементах, минимальные габариты, массу, и стоимость.

В зависимости от типа фильтрующего элемента различают ем­костные, индуктивные и электронные фильтры. По количеству фильтрующих звеньев фильтры делятся на однозвенные и много­звенные.

Емкостные фильтры. Рис. 9.8. Схемы емкостных фильтров с однополупериодным (а) и мостовым (в) выпрямителями, временные диаграммы напряжений и токов однополупериодного (б) и мостового (г) выпрямителей с ем­костным фильтром

Этот тип фильтров относится к однозвенным фильтрам. Емкостный фильтр включают параллельно нагрузочному резистору Rн (рис. 9.8, а) Работу емкостного фильтра удобно рас­сматривать с помощью временных диаграмм, изображенных на рис. 9.8, б. В интервал времени t1- t2 конденсатор через открытый диод Д заряжается до амплитудного значения напряжения U2,так как в этот период напряжение u2>>uс. В это время ток ia = ic + in-В интервал времени t2-t3 когда напряжение U2 становится меньше напряжения на конденсаторе uс, конденсатор разряжается на нагрузочный резистор Rн, заполняя разрядным током паузу в нагрузочном токе iн, которая имеется в однополупериодном вы­прямителе в отсутствие фильтра.

Индуктивные фильтры . Индуктивный фильтр, состоящий из дросселя Lф включают последовательно с нагрузочным резистором Rн (рис. 9.9, а). Он, так же как емкостный фильтр, относится к типу однозвенных фильтров. Работу индуктивного фильтра удобно рас­смотреть с помощью временных диаграмм, изображенных на рис. 9.9, б. Анализ временных диаграмм показывает, что ток iн нагрузоч­ного резистора Rн получается сглаженным. Действительно, вследст­вие того, что ток в цепи с дросселем во время переходного процесса, обусловленного положительной полуволной выпрямляемого напря­жения u2, зависит от постоянной времени t==Lф/Rн длительность импульса тока увеличивается с ростом t. Коэффициент пульсаций определяется простым соотношением

Энергетические характеристики РЛС определяются энергетическими характеристиками передающего устройства, антенно-фидерной системы, приемного устройства и цифровой обработки сигналов.

Выполнение требований, предъявляемых к зонам обнаружения РЛС в условиях как отсутствия, так и наличия помех, обеспечивается использованием режима обзора при следующих энергетических характеристиках:

–импульсная зона обнаружения цели с ЭПР = 4 м 2 с учётом интерференции в режиме 12 об/мин мощность передающего устройства не менее 130 кВ;

–средняя мощность передающего устройства не менее 5,6 кВ;

–коэффициент шума приемника не более 3 дБ;

–потери в СВЧ трактах передатчика не более 1,0 дБ;

–потери в СВЧ трактах приемника не более 1,75 дБ;

–потери в системе обработки без учета потерь в фильтре БПФ и обнаружителе составляют 1,8 дБ;

–коэффициент усиления ДН на передачу составляет не менее 1000;

–ширина ДН в азимутальной плоскости всех приемных лучей по уровню минус 3 дБ: 1,9 ±0,15)°, ширина ДН приемных лучей в вертикальной плоскости, положения их максимумов и коэффициенты усиления для каждого луча для гипотетической РЛС приведены в табл. 3.1.

Дальность обнаружения цели с ЭПР 4 м 2 при вероятности правильного обнаружения 0,5 и вероятности ложной тревоги по собственным шумам приемника 10 -6 в режиме 12 об/мин при высотах полета составляет:

–100 м – 55 км;

–1000 м – 130 км;

–10 км–30 км – 240 км.

Конец работы -

Эта тема принадлежит разделу:

Радиолокационные системы

Академия военно морских сил имени П С Нахимова.. А В Гончар Радиолокационные системы Учебное пособие Севастополь Г УДК Учебное пособие составлено в соответствии с..

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ:

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Без внутриимпульсной модуляции
6.2.1. Одиночные радиоимпульсы Способы обзора пространства

Обработка частотно-модулированных радиоимпульсов
Особенности обработки частотно модулированных (ЧМ) сигналов рассмотрим на примере обработки линейно-частотно-модулированных радиоимпульсов (ЛЧМ), широко используемых в современных Р

Обработка фазоманипулированных радиоимпульсов
Рис. 6.11. Многоканальное устройство фильтровой обработки ФМ - радиоимпульса с неизвестной доплеровской частотой Рассмотрим согл

Дальность действия РЛС
Одна и основных задач при разработке и проектировании РЛС, а также при выборе из существующих РЛС наиболее пригодную для решения конкретных задач потребителя является определение ее максимальной да

Потери отношения сигнал-шум в реальных РЛС
Потери в антенне определяются распределением поля по поверхности (апертуре) антенны:. , где – коэффициент, учитывающий неравномерность распред

Зона видимости. Способы
Рис. 7.2. Зона видимости РЛС сканирования пространства и влияние их на дальность действия РЛС

Коэффициент направленного действия антенны
Обратимся еще раз к формуле (7.5). Здесь и – коэффициенты направленного действия антенны – указывается в формуляре на антенну или РЛС, является основной характеристикой антенны. Он

Учет формы диаграммы направленности антенны и способа обзора пространства
В выражении (7.5) множитель описывает форму диаграммы направленности антенны. В общем случае получить выражение для диаграммы направленности любой произвольной антенны – задача дост

Способы обзора пространства
В процессе проектирования РЛС одним из наиболее сложных и важных вопросов является обоснование и выбор способа сканирования пространства. Задача сводится к обеспечению просмотра зоны видимости (рис

Расчет числа импульсов в пачке
Для каждого конкретного выбранного способа сканирования пространства представляется важным знать количество лучей в пачке, так как в большинстве современных РЛС реализуется как коге

Поглощение радиоволн атмосферными газами
Рис 7.7. Зависимость коэффициента затухания радиоволн в воздухе от длины волны при t = 200 C Осно

Влияние гидрометеоров на распространение радиоволн
7.4.1. Характеристики тумана и дождя Таблица 7.2 Характеристики тумана и дождя Ви

Поверхностно распределенные цели
Морские условия весьма многообразно влияют на радиолокационное обнаружение. Из всего многообразия можно выделить три основных явления: – сигналы, отраженные целями, подвержены изменениям;

Свойства отражений от взволнованной поверхности моря
Зондирующий сигнал, отраженный от поверхности моря, создает значительные помехи РЛС и затрудняет обнаружение целей. На рис. 7.11 приведены фотографии индикатора кругового обзора РЛС «Океан» с центр

Свойства морской поверхности
Ветровые морские волны – основная причина возникновения флюктуационных мешающих отражений радиолокационного сигнала. Волны возникают под влиянием атмосферных воздействий. Реакция мо

Приемника РЛС
Отраженные сигналы могут поступать по главному, боковым и заднему лепесткам диаграммы направленности антенны. На рис 7.12 приведен порядок определения освещенной площадки главным лепестком антенны.

Учет влияния поверхности Земли
В качестве некоторой нормы атмосферы принята нормальная атмосфера с параметрами: давление Р=1013 мбар; температура t = 130 C; относительная влажность s

Основные виды помех активной радиолокации
Как и в любой радиотехнической системе, в радиолокации может существенно сказываться влияние различного рода помех. Роль помех в активной радиолокации может оказаться еще большей, ч

Защиты от них
Существуют два основных вида источников естественных маскирующих активных помех: дискретные и распределенные. К дискретным источникам помех относятся Солнце, Луна и радиозвезды. К р

И способы создания
Рис. 8.1. Влияние слабой (1) и сильной (2, 3) помехи на прохождение сигнала В качестве искусственных маскирующих

При воздействии маскирующих стационарных активных помех
При достаточном динамическом диапазоне приемника условие обнаружения цели в маскирующих стационарных активных помехах типа белого шума имеет вид, где Епр

Пассивные маскирующие помехи и способы их создания
Как уже указывалось выше, к естественным пассивным помехам относятся радиопомехи, создаваемые природными отражателями (местными предметами, водной поверхностью, гидрометеорами, севе

Основные направления защиты РЛС от маскирующих активных помех
Анализ уравнения противорадиолокации показывает, что основные направления защиты РЛС от маскирующих активных помех связаны с использованием амплитудных, поляризационных, частотных и

Методы некогерентной и когерентной компенсации помех
Для улучшения пространственной селекции сигнала на фоне помех, приходящих с отдельных направлений, кроме мер, перечисленных выше, могут быть также исп

Практические схемы автокомпенсаторов
Квадратурный автокомпенсатор В таком автокомпенсаторе формирование весового (управляемого) напряжения осуществляется на видеочастоте. В этой связи представим компле

Основные различия сигналов целей и пассивных маскирующих помех
Сигналы, отраженные от целей, и пассивные маскирующие помехи в общем случае имеют различные статистические характеристики. Для сигналов и помех, распределенных по нормальному закону

Оптимальное обнаружение сигнала на фоне пассивной помехи
в виде стационарного небелого шума Небелый шум, как известно, характеризуется неравномерным распределением спектральной плотности мощности по оси часто

Фильтров подавления
Рис. 8.22. Схема однократного череспериодного вычитания Принципы построения входящих в состав оптимального фильтра оп

Модели движения целей
Наблюдаемые радиолокационные цели: наземный транспорт, корабли, самолеты, космические аппараты и другие объекты – могут двигаться по самым разнообразным траекториям, имеющим, как правило, случайный

Экстраполяция траекторных параметров
Оценка траекторных параметров движения цели в соответствии с общей структурной схемой ВО проводится в блоке О (рис. 9.2) по отсчетам, отобранным в ходе операции селекции и относящим

Алгоритм селекции отсчетов по минимальному отклонению от центра строба
Алгоритм селекции отсчетов по минимальному отклонению от центра строба обычно применяется в двухэтапной процедуре стробирования. Этот предназначен для работы в случаях, когда в стробе появляется

Алгоритмы сопоставления и привязки отсчетов к траекториям
в многоцелевой ситуации Рис. 9.8. Вариант многоцелевой ситуации Это одна из самых трудных

Общие положения
В современных радиолокационных системах требуемые вероятностные и точнстные характеристики обеспечиваются лишь после проведения этапа ВО. При этом в отличие от первичной обработки п

Вероятность ложного обнаружения траектории
Структура простейшего алгоритма завязка – обнаружение – сброс «2 из m» + «l из n» – «s» в виде направленного графа приведена на рис. 9.9. Направленный гр

Вероятность правильного обнаружения траектории
При поступлении на вход обнаружителя отсчетов, полученных от некоторой цели, логика работы алгоритма остается той же, что и в случае ложных отсчетов. Траектория цели обнаруживается при выполнении у

Систем
В первом разделе данного учебного пособия были рассмотрены основные вопросы теории построения радиолокационных систем. Изложенный в нем материал представляется достаточным для поним

Современных активных РЛС
Существенный прогресс в развитии элементной базы, расширение ранее существовавших и появление новых областей применения РЛС привели к коренному пересмотру как принципов построения,

И возможности создания современных корабельных РЛС
При выборе путей создания радиолокационных систем следует учитывать результаты анализа тенденций развития радиолокационных систем и следующие особенности, обусловленные применением

Тактические характеристики РЛС
К тактическим характеристикам РЛС относятся назначение, сектор или зона работы, время обзора этого сектора, качественные показатели обнаружения объекта, число измеряемых координат и

Число измеряемых координат и параметров движения объекта и точность этих измерений
В РЛС противовоздушной и особенно противоракетной обороны требуется измерение как всех трех координат летательного аппарата, так и их первых, а иногда и вторых производных. В РЛС наблюдени

Когерентные доплеровские РЛС с непрерывным излучением
Возвращаясь к главе 2, в частности, к рис 2.8, можно еще раз констатировать, что в общем, отраженном от объекта сложной формы, сигнале существенной может быть когерентная составляющ

Когерентно-импульсные РЛС
Рассмотренные выше РЛС с непрерывным излучением представляют собой в каком-то смысле чисто доплеровские, или когерентные РЛС. Несколько по-иному решается задача когерентного накопле

РЛС с внешней когерентностью
Как уже отмечалось, к РЛС с внутренней когерентностью предъявляются жесткие требования к стабильности напряжения источника питания и частоты генераторов. Поэтому часто используют режим работы с вне

Временной когерентной обработки сигналов
Комплексная амплитуда напряжения сигнала на выходе линейной части приемника (при условии отсутствия пространственных помех) записывается в виде, (11.2) где

Исходные предпосылки
В соответствии с общей теорией приема, оптимальная временная обработка принимаемого на фоне стационарного белого шума сигнала u(t) сводится к вычислению корреляционног

Во временной области
Так как принимаемые радиолокационные сигналы перед дискретизацией преобразуются в две квадратурные составляющие, то реализация ЦСФ должна производиться в двух квадратурных каналах.

В частотной области
Рассмотрим теперь особенности дискретной свертки типа согласованной фильтрации в частотной области. В соответствии с теорией дискретного представления непрерывных функций, ограничен

Общие положения
Под СДЦ понимают выделение сигналов движущихся целей из них смеси с помехами и шумами, принимаемой приемником РЛС. Типичными задачами СДЦ являются: обнаружение самолетов на фоне отр

Коррелированной помехи
Как известно, оптимальный обнаружитель когерентной пачки радиоимпульсов на фоне белого шума представляет собой последовательно соединенные согласованный с пачкой фильтр, детектор и

И влияющие на нее факторы
Для оценки качества работы систем СДЦ обычно используются следующие характеристики. 1. АЧХ режекторного фильтра и канала доплеровской частотной селекции.

Одноканальные методы автосопровождения по угловым координатам
Системы автоматического сопровождения по угловым координатам в ряде радиолокационных систем являются основными. Это в космической локации, в системах наведения оружия и т.д. Автоматическое

Угловых координат
Получившие широкое распространение одноканальные методы пеленгации, отличаясь сравнительной простотой, не всегда обеспечивают достаточную точность измерения. Основной причиной являются искажения ог

В моноимпульсных системах
Широкое применение в моноимпульсных системах находит суммарно-разностная обработка колебаний, принимаемых различными каналами. При такой обработке образуются сумма и разность двух колебаний. Чтобы

Двухканальных систем
Произвольное угломерное устройство (амплитудное или фазовое) может быть использовано для получения сигнала рассогласования (сигнала ошибки) следящей системы при автосопровождении по

И методы определения координат
Пассивная локация осуществляет обнаружение и измерение координат воздушно-космических, наземных и надводных объектов, создающих излучения. Источниками излучения могут быть работающи

Корреляционные методы обработки сигналов
Практическая реализация методов пассивной локации связана с необходимостью отождествления, т. е. установления соответствия между сигналами, принятыми в различных пунктах от одного и

Определения координат излучающего объекта
Пусть пункты приема и источники радиоизлучения расположены в плоскости хОу (рис. 14.6). Положение i-го пункта характеризуется вектором, истинное положение пеленгуемого объек

Сигнала при корреляционной обработке
На вход коррелятора при наличии сигнала поступают случайные колебания: каждое в виде аддитивной смеси полезного сигнала и помехи. Все эти колебания считаем

Естественных и близких к ним электромагнитных излучений
Под естественным излучением будем понимать тепловое хаотическое излучение объектов, а также участков местности и пространства. Эффект неравномерного теплового излучения радиоволн участками

Принцип действия радиолокационной системы с активным ответом
Подобные системы еще называют системами вторичной радиолокации. Основное отличие ее от радиолокации с пассивным ответом следует из самого наименования: вместо пассивного ответа, обр

Устранение влияния боковых лепестков антенны
Мощность излучения по боковым лепесткам антенны запросчика в горизонтальной плоскости оказывается вполне достаточной для запроса ответчиков, удаленных на большое расстояние от запро

В рлс с активным ответом
Измерение азимута в РЛС с активным ответом основано на использовании обнаружителя с движущимся окном. Для серии последовательных запросов фиксируется несколько ответных сигналов одн

Система активного ответа с адресным запросом
В рассмотренной системе с активным ответом запрашиваются все цели, находящиеся в пределах ДН антенны запросчика. В результате возникает перегрузка системы лишними запросами и ответа

Принцип построения РЛС с синтезированной апертурой антенны
Подобный тип РЛС моно реализовать, разместив антенну на носителе, обладающем большой скоростью, позволяющей получить синтезированную апертуру протяженностью десятки и даже сотни кил

Цифровая обработка сигналов РСА
При аналоговой обработке в РСА с использованием фотопленки информация извлекается с большим запаздыванием относительно момента записи (до нескольких часов). Цифровая обработка сигна

Космические РЛС с синтезированной апертурой
Космическим средствам разведки придают все большее значение и военные, и гражданские специалисты. Применение на борту космического аппарата РЛС с синтезированной апертурой расширяет возможности раз

Проект lightSAR
Цель проекта lightSAR – создание недорогой аппаратуры, имеющей малые массу и объем, для высокоточных наблюдений за поверхностью земли. Аппаратура будет установлена на спутнике, выс

Краткое описание некоторых РЛС
Ранее в данном учебном пособии были рассмотрены основные вопросы теории построения и структурные решения при создании радиолокационных систем. Изложенный материалы представляются достаточными для п

Общие данные
Судовая навигационная РЛС «Океан» является двухдиапазонной и работает на волнах 3,2 и 10 см. Кроме того, в зависимости от типа комплектации (варианта) станция может быть однодиапазо

Антенно-волноводное устройство
Двухдиапазонная антенна типа А представляет собой конструкцию зеркального типа, показанную на рис. 17.1 Антенна имеет общий отражатель (зеркало) с поверхностью раскрыва 750

Канал свч на волне 3,2 и 10 см
АПЧ АПЧ УПЧ

Передающее устройство
Передатчик РЛС «Океан» 3,2 и 10 см состоит из модулятора и магнетронного генератора (рис. 17.6). В состав модулятора входят: ЛЗ

Приемное устройство
8 УПЧ Д ВУ

Общие данные
Навигационная радиолокационная станция МР-244 «Экран» устанавливается на морских и речных судах, береговых постах контроля судоходства и обеспечивает: – радиолокационное от

Передающий тракт
Передающий тракт обеспечивает генерирование СВЧ зондирующих импульсов и формирование ряда служебных импульсов, синхронизирующих работу других трактов и устройств с моментами излучен

Приемный тракт
Приемный тракт обеспечивает преобразование отраженных СВЧ-сигналов в сигналы промежуточной частоты, их усиление на промежуточной частоте и детектирование. В приемном тракте осуществ

Режим обзора пространства и зоны обнаружения РЛС
Далее нами будут рассмотрены в качестве примера две РЛС воздушного наблюдения. Предварительно следует напомнить некоторые особенности подобных РЛС. Как правило, РЛС воздушного наблю

Генераторы СВЧ многокаскадных передающих устройств
Генератор СВЧ многокаскадных передающих устройств предназначен для усиления входного маломощного высокочастотного сигнала до уровня, необходимого для излучения. В качестве таких ген

Импульсные модуляторы
Импульсные модуляторы предназначены для управления колебаниями генераторов СВЧ. В РЛС используется анодная модуляция, при которой управление работой генераторов производится путем м

Высокочастотный тракт
Высокочастотный тракт обеспечивает передачу с минимальными потерями электромагнитной энергии от передающего устройства к антенному. Он представляет собой сложный комплекс высокочаст

Схемы помехозащиты РЛС
Устройства защиты от помех не являются универсальными. Каждое из них эффективно может использоваться против определенного вида помех. В РЛС обнаружения применяются различные схемы и

Параметры и структура излучаемого сигнала
РЛС работает в S-диапазоне рабочих частот 2900 – 3130 мГц. Количество фиксированных рабочих частот в пределах указанного диапазона определяется исходя из ширины полосы частот радиоизлучения,

Характеристики помехозащищенности
Защита РЛС от пассивных помех строится с учетом опыта разработки и испытаний РЛС подобного класса, а также на основе данных, полученных путем полунатурного моделирования с использов

Точностные характеристики определения координат целей
Выбранные для реализации в РЛС параметры и структура излучаемого сигнала, современные методы обработки радиолокационной информации, а также большой динамический диапазон, достигаемы

Выбор и обоснование структурной схемы
С учетом изложенного выше, реализация приведенных ТТХ возможна в рамках структурной схемы, приведенной на рис. 19.2 и 20.2. 20.2.1. Передающее устро

Приемное устройство
Структурно, рис. 20.2, 20.4 приемное устройство состоит из многоканального (по количеству сформированных антенной горизонтальных каналов) аналогового приемного устройства, многоканальной аналого-ци

Цифровая диаграммообразующая система
Цифровая диаграммообразующая система (далее – ЦДОС) – функциональное устройство антенны первичного радиолокатора РЛС, предназначенное для формирования диаграммы направленности (ДН)

РЛС воздушного наблюдения корабельного базирования
№ п/п Тип РЛС и ее краткая характеристика Размеры антенны, м Пиковая мощность, мВт Длительность импульса, мкс

РЛС воздушного наблюдения наземного базирования
№ п/п Тип РЛС и ее краткая характеристика Длинна волны, м Зона обзора: По азимуту, гр По углу места, гр

Биографические сведения о некоторых выдающихся ученых и инженерах-создателях радиолокационных систем
Ге́нрих Ру́дольф Герц (22 февраля 1857 – 1 января 1894, Бонн) Г

Александр степанович попов
(16 марта 1859 – 13 января 1906 А.С. Попов родился 16 марта 1859 г. в поселке Турьинские Рудник

Юрий Борисович Кобзарев
(8 декабря 1905 – 25 апреля 1992) Юрий Борисович Кобзарев – доктор технических наук, академик Российской академии наук, выдающийся ученый в области радиоте

Кристиан Хюльсмайер
(1881 – 1835) Изобретатель радара Кристиан Хюльсмайер (Christian Huelsmeyer) родился 25 декабря 1881 г

Михаил Михайлович Лобанов
(19 марта 1901 – 2 марта 1984) Михаи́л Миха́йлович Лоба́нов – советский военный инженер, одна из ключевых фигур в становлении и развитии ра

Павел Кондратьевич Ощепков
(25 марта 1928 – 1 декабря 1992) Родился в 1908 году в деревне Зуевы Ключи Сарап

Библиографический список
1 Труды Института радиоинженеров – ТИРИ (Proceedings of the IRE) [М.: ИЛ, 1962/Две части (1517 c.)]. 2. Электроника: прошлое, настоящее, будущее /Пер. с анг. под р